80% pembuatan Tungsten Sputtering Target
Aplikasi sasaran sputtering:
Fenomena di mana zarah bercas (seperti ion argon) mengebom permukaan pepejal, menyebabkan pelbagai zarah pada permukaan, seperti atom, molekul atau gugusan, terlepas dari permukaan objek dipanggil "sputtering". Dalam salutan sputtering magnetron, ion positif yang dihasilkan oleh pengionan gas argon biasanya digunakan untuk mengebom pepejal (sasaran), dan atom neutral yang terpercik diendapkan pada substrat (bahan kerja) untuk membentuk lapisan filem. Salutan sputtering magnetron mempunyai " Ia mempunyai dua ciri utama: "suhu rendah" dan "cepat".
80% Tungsten Sputtering Target factpry
Prinsip sputtering magnetron:
Medan magnet ortogon dan medan elektrik ditambah di antara sasaran terpercik (katod) dan anod, dan gas lengai yang diperlukan (biasanya gas Ar) diisi dalam ruang vakum tinggi. Magnet kekal membentuk sudut 250 hingga 350 darjah pada permukaan bahan sasaran. Medan magnet Gaussian dan medan elektrik voltan tinggi membentuk medan elektromagnet ortogon.
Di bawah tindakan medan elektrik, gas Ar diionkan menjadi ion positif dan elektron. Voltan tinggi negatif tertentu dikenakan pada sasaran. Elektron yang dipancarkan daripada sasaran dipengaruhi oleh medan magnet dan kebarangkalian pengionan gas kerja meningkat. Plasma berketumpatan tinggi terbentuk berhampiran katod. Ion Ar memecut ke arah permukaan sasaran di bawah tindakan daya Lorentz dan mengebom permukaan sasaran pada kelajuan yang sangat tinggi, menyebabkan atom terpercik pada sasaran mengikut prinsip penukaran momentum. Tenaga kinetik yang tinggi meninggalkan permukaan sasaran dan terbang ke substrat untuk mendepositkan filem.
99.95%Tungsten Sputtering Sasaran
Sputtering magnetron secara amnya dibahagikan kepada dua jenis: Sputtering DC dan sputtering frekuensi radio. Prinsip peralatan sputtering DC adalah mudah, dan kelajuannya juga pantas apabila logam sputtering. Sputtering frekuensi radio mempunyai pelbagai aplikasi yang lebih luas. Di samping memercikkan bahan konduktif, ia juga boleh memercikkan bahan bukan konduktif. Ia juga boleh melakukan sputtering reaktif untuk menyediakan bahan kompaun seperti oksida, nitrida dan karbida. Jika frekuensi frekuensi radio ditingkatkan, ia menjadi gelombang mikro plasma sputtering. Pada masa ini, sputtering plasma gelombang mikro jenis elektron siklotron resonans (ECR) biasanya digunakan.
